高纯度铜接地棒含杂质极少，其原子排列较为规则和整齐。在高温环境下，氧原子与铜原子的反应相对较为简单直接。由于杂质少，不会因杂质与铜形成原电池等复杂反应而加速氧化。因此，高纯度铜接地棒的初始氧化速率相对较为稳定且缓慢。例如，在某高温实验环境（800℃）下，纯度为 99.99%的铜接地棒，在开始的 1 小时内，表面氧化层厚度增加较为缓慢，仅增加了约 0.01 毫米。

  低纯度铜接地棒中含有较多的杂质，如铁、锌、铅等。这些杂质会与铜形成不同的电位差，在高温下，杂质周围容易形成微小的原电池。原电池反应会加速电子的转移，使得氧原子更容易与铜原子发生反应，从而导致低纯度铜接地棒的氧化速率明显高于高纯度铜接地棒。同样在 800℃环境下，纯度为 95%的铜接地棒，在开始的 1 小时内，表面氧化层厚度增加了约 0.05 毫米，是高纯度铜接地棒的 5 倍左右。

  高纯度铜接地棒在高温氧化后，生成的氧化产物主要是氧化铜（CuO），其结构相对较为致密。这是因为高纯度铜的原子排列规则，氧化过程较为均匀，形成的氧化层能够较好地附着在铜表面，起到一定的保护作用，减缓进一步的氧化。例如，在持续高温（800℃）24 小时后，高纯度铜接地棒表面的氧化层虽然有所增厚，但仍然保持相对完整和致密的结构，对内部铜的进一步氧化有一定的阻碍作用。

  低纯度铜接地棒由于杂质的存在，氧化产物除了氧化铜外，还会有杂质的氧化物。这些不同的氧化物混合在一起，使得氧化产物的结构变得疏松多孔。杂质氧化物的存在破坏了氧化层的完整性，氧原子更容易通过这些孔隙深入到铜内部，加速氧化过程。在同样 800℃高温 24 小时后，低纯度铜接地棒表面的氧化层变得疏松，容易脱落，无法有效地阻止内部铜的继续氧化。

  高纯度铜接地棒本身导电性极佳，虽然在高温氧化后表面形成氧化层，但由于氧化层相对致密且较薄，对整体导电性的影响较小。例如，在高温氧化前，高纯度铜接地棒的电阻率约为 1.7×10⁻⁸Ω·m，经过 800℃高温氧化 24 小时后，其电阻率仅上升到约 1.8×10⁻⁸Ω·m，上升幅度约为 5.8%。

  低纯度铜接地棒由于氧化速率快且氧化产物结构疏松，会导致大量的铜被氧化，从而使导电通路减少。同时，疏松的氧化层也会增加电子传输的阻力。在高温氧化前，低纯度铜接地棒的电阻率约为 2.0×10⁻⁸Ω·m，经过 800℃高温氧化 24 小时后，其电阻率上升到约 2.5×10⁻⁸Ω·m，上升幅度达到 25%，对导电性的影响较为显著。